NVD5863NLT4G

MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
NVD5863NLT4G P1
NVD5863NLT4G P1
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ON Semiconductor ~ NVD5863NLT4G

Artikelnummer
NVD5863NLT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NVD5863NLT4G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3850pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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