NVD4806NT4G

MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
NVD4806NT4G P1
NVD4806NT4G P1
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ON Semiconductor ~ NVD4806NT4G

Artikelnummer
NVD4806NT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NVD4806NT4G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2142pF @ 12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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