NVATS5A106PLZT4G

MOSFET P-CH 30V DPAK
NVATS5A106PLZT4G P1
NVATS5A106PLZT4G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NVATS5A106PLZT4G

Artikelnummer
NVATS5A106PLZT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NVATS5A106PLZT4G PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer NVATS5A106PLZT4G
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 33A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 48W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket ATPAK
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Verwandte Produkte

Alle Produkte