NTTS2P02R2G

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
NTTS2P02R2G P1
NTTS2P02R2G P1
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ON Semiconductor ~ NTTS2P02R2G

Artikelnummer
NTTS2P02R2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTTS2P02R2G
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 16V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 780mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Micro8™
Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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