NTS2101PT1G

MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
NTS2101PT1G P1
NTS2101PT1G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NTS2101PT1G

Artikelnummer
NTS2101PT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NTS2101PT1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer NTS2101PT1G
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 8V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 8V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 290mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-70-3 (SOT323)
Paket / Fall SC-70, SOT-323

Verwandte Produkte

Alle Produkte