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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NTR3A052PZT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.9nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1243pF @ 4V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 860mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 (TO-236AB) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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NTR3A052PZT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 | - | 501791 | Einzelheiten |
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NTR3A30PZT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | - | 33000 | Einzelheiten |