NTMS4939NR2G

MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
NTMS4939NR2G P1
NTMS4939NR2G P1
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ON Semiconductor ~ NTMS4939NR2G

Artikelnummer
NTMS4939NR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTMS4939NR2G
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 800mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 7.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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