NTMS4917NR2G

MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
NTMS4917NR2G P1
NTMS4917NR2G P1
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ON Semiconductor ~ NTMS4917NR2G

Artikelnummer
NTMS4917NR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTMS4917NR2G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 7.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1054pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 880mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 11A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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