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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NTMKE4892NT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 26A (Ta), 148A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4270pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 24A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9) |
| Paket / Fall | 5-ICEPAK |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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NTMKE4891NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK | 0 | Einzelheiten | |
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NTMKE4892NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK | 0 | Einzelheiten |