NTMFS4827NET3G

MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
NTMFS4827NET3G P1
NTMFS4827NET3G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS4827NET3G

Artikelnummer
NTMFS4827NET3G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTMFS4827NET3G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta), 58.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 11.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 12V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 870mW (Ta), 38.5W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 6.95 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Fall 8-PowerTDFN, 5 Leads

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