NTMD2C02R2G

MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
NTMD2C02R2G P1
NTMD2C02R2G P1
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ON Semiconductor ~ NTMD2C02R2G

Artikelnummer
NTMD2C02R2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer NTMD2C02R2G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.2A, 3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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