Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NTLJS4149PTBG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 960pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTLJS1102PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS1102PTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS2103PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS2103PTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS3113PTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS3180PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS3180PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS3A18PZTWG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS3A18PZTXG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTLJS4114NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN | - | 90000 | Einzelheiten |