NTLJD4150PTBG

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
NTLJD4150PTBG P1
NTLJD4150PTBG P1
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ON Semiconductor ~ NTLJD4150PTBG

Artikelnummer
NTLJD4150PTBG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer NTLJD4150PTBG
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Leistung max 700mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2)

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