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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NTJS4151PT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NTJS3151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 | - | 30000 | Einzelheiten |
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NTJS3151PT2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTJS3151PT2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTJS3157NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | - | 60000 | Einzelheiten |
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NTJS3157NT2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTJS3157NT2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | - | 135000 | Einzelheiten |
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NTJS3157NT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTJS3157NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTJS4151PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | - | 9000 | Einzelheiten |
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NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTJS4405NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | - | 0 | Einzelheiten |