Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NTGD4167CT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.6A, 1.9A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Leistung max | 900mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTGD1100LT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTGD1100LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP | - | 9000 | Einzelheiten |
 |
NTGD3133PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTGD3147FT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTGD3148NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP | - | 60000 | Einzelheiten |
 |
NTGD3149CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTGD4161PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTGD4167CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
NTGD4169FT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP | - | 0 | Einzelheiten |