NTF3055-100T1G-IRH1

NFET SOT223 60V 3A 0.100R
NTF3055-100T1G-IRH1 P1
NTF3055-100T1G-IRH1 P1
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ON Semiconductor ~ NTF3055-100T1G-IRH1

Artikelnummer
NTF3055-100T1G-IRH1
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
NFET SOT223 60V 3A 0.100R
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTF3055-100T1G-IRH1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223 (TO-261)
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA

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