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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NTE4153NT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 915mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.82nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 16V |
| Vgs (Max) | ±6V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300mW (Tj) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-89-3 |
| Paket / Fall | SC-89, SOT-490 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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NTE4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 | - | 0 | Einzelheiten |
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NTE4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 | - | 0 | Einzelheiten |