NTD23N03RT4G

MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
NTD23N03RT4G P1
NTD23N03RT4G P1
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ON Semiconductor ~ NTD23N03RT4G

Artikelnummer
NTD23N03RT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTD23N03RT4G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 3.76nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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