NSVF6003SB6T1G

RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
NSVF6003SB6T1G P1
NSVF6003SB6T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSVF6003SB6T1G

Artikelnummer
NSVF6003SB6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer NSVF6003SB6T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 1GHz
Gewinnen 9dB
Leistung max 800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-CPH

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