NSVBAS16TT1G

DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
NSVBAS16TT1G P1
NSVBAS16TT1G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NSVBAS16TT1G

Artikelnummer
NSVBAS16TT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer NSVBAS16TT1G
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 6ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket SC-75, SOT-416
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

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