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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | NSBC115EPDXV6T1G |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 357mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket | SOT-563 |