NJD35N04G

TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
NJD35N04G P1
NJD35N04G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NJD35N04G

Artikelnummer
NJD35N04G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer NJD35N04G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Leistung max 45W
Frequenz - Übergang 90MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK-3

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