NGTD30T120F2WP

IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
NGTD30T120F2WP P1
NGTD30T120F2WP P1
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ON Semiconductor ~ NGTD30T120F2WP

Artikelnummer
NGTD30T120F2WP
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NGTD30T120F2WP PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer NGTD30T120F2WP
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Leistung max -
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die

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