NGTB75N65FL2WAG

IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
NGTB75N65FL2WAG P1
NGTB75N65FL2WAG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NGTB75N65FL2WAG

Artikelnummer
NGTB75N65FL2WAG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer NGTB75N65FL2WAG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 200A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 200A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
Leistung max 536W
Energie wechseln 610µJ (on), 1.2mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 310nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/157ns
Testbedingung 400V, 75A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 90ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-4
Lieferantengerätepaket TO-247-4L

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