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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MVB50P03HDLT4G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4.9nF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 125W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-3 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MVB50P03HDLT4G | ON Semiconductor | INTEGRATED CIRCUIT | - | 6462 | Einzelheiten |