MJ11012G

TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
MJ11012G P1
MJ11012G P1
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ON Semiconductor ~ MJ11012G

Artikelnummer
MJ11012G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer MJ11012G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 300mA, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 20A, 5V
Leistung max 200W
Frequenz - Übergang 4MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-204AA, TO-3
Lieferantengerätepaket TO-3

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