HUF75639P3-F102

MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
HUF75639P3-F102 P1
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ON Semiconductor ~ HUF75639P3-F102

Artikelnummer
HUF75639P3-F102
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer HUF75639P3-F102
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3

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