FQP2N40-F080

MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
FQP2N40-F080 P1
FQP2N40-F080 P1
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ON Semiconductor ~ FQP2N40-F080

Artikelnummer
FQP2N40-F080
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FQP2N40-F080
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 400V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.8 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 40W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Fall TO-220-3

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