FDV302P-NB8V001

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
FDV302P-NB8V001 P1
FDV302P-NB8V001 P1
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ON Semiconductor ~ FDV302P-NB8V001

Artikelnummer
FDV302P-NB8V001
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDV302P-NB8V001
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.31nC @ 4.5V
Vgs (Max) -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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