FDS8949-F085

MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
FDS8949-F085 P1
FDS8949-F085 P1
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ON Semiconductor ~ FDS8949-F085

Artikelnummer
FDS8949-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDS8949-F085
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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