Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | FDS5690-NBBM009A |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1107pF @ 30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS5690 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC | - | 2500 | Einzelheiten |
 |
FDS5690-NBBM009A | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC | - | 10388 | Einzelheiten |
 |
FDS5692Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten |