FDPF4D5N10C

FET ENGR DEV-NOT REL
FDPF4D5N10C P1
FDPF4D5N10C P1
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ON Semiconductor ~ FDPF4D5N10C

Artikelnummer
FDPF4D5N10C
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
FET ENGR DEV-NOT REL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDPF4D5N10C
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 128A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 310µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5065pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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