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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | FDMS4D0N12C |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 120V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Ta), 114A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 370A |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 60V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.7W (Ta), 106W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |