FDBL86063_F085

MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V
FDBL86063_F085 P1
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ON Semiconductor ~ FDBL86063_F085

Artikelnummer
FDBL86063_F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH TRENCH PTNG 100V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDBL86063_F085
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5120pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 357W (Tj)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HPSOF
Paket / Fall 8-PowerSFN

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