EFC4C002NLTDG

MOSFET 2N-CH 8WLCSP
EFC4C002NLTDG P1
EFC4C002NLTDG P1
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ON Semiconductor ~ EFC4C002NLTDG

Artikelnummer
EFC4C002NLTDG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8WLCSP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer EFC4C002NLTDG
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 15V
Leistung max 2.6W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-XFBGA, WLCSP
Lieferantengerätepaket 8-WLCSP (6x2.5)

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