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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BVSS84LT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 50V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 130mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 225mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 100mA, 5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BVSS123LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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BVSS138LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3 | - | 24000 | Einzelheiten |
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BVSS84LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3 | - | 3000 | Einzelheiten |