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ON Semiconductor ~ BAS40LT3G

Artikelnummer	BAS40LT3G
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	40V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	120mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1V @ 40mA
Geschwindigkeit	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	1µA @ 25V
Kapazität @ Vr, F	5pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur - Kreuzung	-55°C ~ 150°C

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
BAS 125-06W E6327	Infineon Technologies	DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V SOT323	-	0	Einzelheiten
BAS 16 B5003	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3	-	0	Einzelheiten
BAS 16-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2	-	0	Einzelheiten
BAS 16-02W E6327	Infineon Technologies	DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2	-	0	Einzelheiten
BAS 16-07L4 E6327	Infineon Technologies	DIODE ARRAY GP 80V 200MA TSLP4	-	0	Einzelheiten
BAS 3005A-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2	-	0	Einzelheiten
BAS 3005A-02V H6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2	-	3000	Einzelheiten
BAS 3005B-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2		0	Einzelheiten
BAS 3005B-02V H6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2		24000	Einzelheiten
BAS 3007A-RPP E6327	Infineon Technologies	DIODE BRIDGE 30V 900MA SOT143	-	138000	Einzelheiten
BAS 3010S-02LRH E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2	-	15000	Einzelheiten
BAS 3020B E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT363-6	-	0	Einzelheiten