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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | 3LP01C-TB-H |
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Teilstatus | Last Time Buy |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.43nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.5pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 250mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 3-CP |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |