2SJ665-DL-1EX

MOSFET P-CH 100V 27A TO263
2SJ665-DL-1EX P1
2SJ665-DL-1EX P1
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ON Semiconductor ~ 2SJ665-DL-1EX

Artikelnummer
2SJ665-DL-1EX
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 27A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer 2SJ665-DL-1EX
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 27A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 20V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 65W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 77 mOhm @ 14A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-2
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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