2SC5415AF-TD-E

TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
2SC5415AF-TD-E P1
2SC5415AF-TD-E P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ 2SC5415AF-TD-E

Artikelnummer
2SC5415AF-TD-E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer 2SC5415AF-TD-E
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 6.7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz
Gewinnen 9dB
Leistung max 800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket PCP

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