2N6052G

TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
2N6052G P1
2N6052G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ 2N6052G

Artikelnummer
2N6052G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer 2N6052G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 12A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 6A, 3V
Leistung max 150W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-204AA, TO-3
Lieferantengerätepaket TO-3

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