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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMGD400UN,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 710mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 25V |
| Leistung max | 410mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMGD400UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |