PMGD175XN,115

MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
PMGD175XN,115 P1
PMGD175XN,115 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ PMGD175XN,115

Artikelnummer
PMGD175XN,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- PMGD175XN,115 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer PMGD175XN,115
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 900mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 75pF @ 15V
Leistung max 390mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket 6-TSSOP

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