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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMG45UN,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 184pF @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 375mW (Ta), 4.35W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMG45UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3A SOT363 | 0 | Einzelheiten |