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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PDTD123YS,126 |
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Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 500mW |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |