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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BUK7C5R4-100EJ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-7 |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BUK7C06-40AITE,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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BUK7C08-55AITE,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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BUK7C10-75AITE,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 4000 | Einzelheiten | |
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BUK7C1R2-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUK7C1R4-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUK7C1R8-60EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUK7C2R2-60EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUK7C3R1-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUK7C3R8-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUK7C4R5-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |
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BUK7C5R4-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 | - | 0 | Einzelheiten |