2N7002PT,115

MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416
2N7002PT,115 P1
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NXP USA Inc. ~ 2N7002PT,115

Artikelnummer
2N7002PT,115
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2N7002PT,115.pdf 2N7002PT,115 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer 2N7002PT,115
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 310mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-75
Paket / Fall SC-75, SOT-416

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