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Nexperia USA Inc. ~ PSMN011-60MLX

Artikelnummer	PSMN011-60MLX
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	61A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.45V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	37.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2191pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	91W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	11.3 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	LFPAK33
Paket / Fall	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
PSMN003-30B,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK		0	Einzelheiten
PSMN003-30P,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB		0	Einzelheiten
PSMN004-36B,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK		0	Einzelheiten
PSMN004-55W,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 100A SOT429		0	Einzelheiten
PSMN004-60B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK		3200	Einzelheiten
PSMN004-60P,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB	-	0	Einzelheiten
PSMN005-25D,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 75A DPAK		0	Einzelheiten
PSMN005-30K,518	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1		0	Einzelheiten
PSMN005-55B,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	-	0	Einzelheiten
PSMN005-55P,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB	-	0	Einzelheiten
PSMN005-75B,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK		0	Einzelheiten
PSMN005-75P,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB		0	Einzelheiten