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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN006-20K,518 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 2.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 8.3W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PSMN003-30B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN003-30P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN004-36B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN004-55W,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 100A SOT429 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN004-60B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 3200 | Einzelheiten | |
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PSMN004-60P,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN005-25D,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN005-30K,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1 | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN005-55B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN005-55P,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN005-75B,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN005-75P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | 0 | Einzelheiten |