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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | PRMD3Z |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 1µA |
Frequenz - Übergang | 230MHz |
Leistung max | 480mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | DFN1412-6 |